國(guó)產(chǎn)金屬光譜儀采用CMOS檢測(cè)器全譜測(cè)試技術(shù),可測(cè)試覆蓋波長(zhǎng)范圍內(nèi)的所有譜線，配置和補(bǔ)充測(cè)試基體、通道、分析程序極為方便。儀器體積小巧，方便維護(hù)和實(shí)驗(yàn)室放置。OES8000s是全面測(cè)試鋼鐵和有色金屬材料元素的通用型儀器，可以滿足包括：Fe基體、Cu基體、Al基體、Ti基體、Pb基體、Mg基體、Co基體等基體要求，是金屬元素分析的最優(yōu)選擇。全譜分析技術(shù)，方便配置更多基體和元素，方便在用戶現(xiàn)場(chǎng)補(bǔ)充配置儀器體積小巧，對(duì)實(shí)驗(yàn)室空間要求低，全天候工作，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可靠性、樣品測(cè)試速度快，單次測(cè)試過(guò)程少于40秒，儀器使用和維護(hù)簡(jiǎn)單、方便，對(duì)人員專業(yè)要求低，原廠安裝分析程序，測(cè)試數(shù)據(jù)精確，適用合金牌號(hào)齊全，配置標(biāo)準(zhǔn)化樣品可對(duì)儀器進(jìn)行周期性校正不使用化學(xué)試劑，測(cè)試過(guò)程安全、環(huán)保。

技術(shù)性能及指標(biāo)

1. 分光室設(shè)計(jì)

帕邢-龍格結(jié)構(gòu),羅蘭圓直徑400mm

波長(zhǎng)范圍140 – 680nm

像素分辨率10pm

恒溫33℃±0.2℃

特殊材質(zhì)鑄造，保證光室形變小

間歇式真空系統(tǒng)，可保證真空泵運(yùn)行時(shí)間小于5%

2. 凹面光柵

刻線密度3600l/mm

一級(jí)光譜線色散率：1.04 nm/mm

3. 檢測(cè)器

高性能線陣CMOS

4. 分析時(shí)間

依樣品種類而不同，一般少于40秒

5. 激發(fā)光源

全數(shù)字等離子火花光源技術(shù)

高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)

頻率100-1000Hz

電流1-80A

6. 激發(fā)臺(tái)

3mm樣品臺(tái)分析間隙

噴射電極技術(shù)

特殊設(shè)計(jì)的氣路系統(tǒng)，保證最低氬氣消耗

7. 尺寸和重量

高450mm 長(zhǎng)900mm 寬600 mm

120 kg

8. 功率

最大功率1500W

待機(jī)功率70W

工作條件

工作溫度：15-30℃

相對(duì)濕度：≤70%

電 源：220±5V，單相50Hz，接地電阻＜1Ω

實(shí)驗(yàn)室無(wú)震動(dòng)、粉塵、強(qiáng)電磁干擾、強(qiáng)氣流、腐蝕性氣體

光學(xué)系統(tǒng)

巴邢-龍格架法，焦距：500 mm.

高性能全息衍射光柵，光柵刻線2700條/mm和3600條/mm

每塊CCD 3,648 像素，最大58,368 像素的分辨率(16 *3,648 像素)

譜線波長(zhǎng)：130 - 800 nm由衍射光柵的選擇決定。光柵的選擇由制造商根據(jù)分析元素和分析程序來(lái)決定

密閉的真空光學(xué)室可以避免灰塵、光線的干擾

激發(fā)平臺(tái)

開(kāi)放式的火花臺(tái),可以分析重達(dá)20Kg的各種形狀的樣品

電極易于拆卸維護(hù)

氬氣吹掃火花臺(tái)，支持快速樣品更換

不同樣品的適配器可滿足各種樣品的需求（可選）

激發(fā)光源

全自動(dòng)控制火花源

半導(dǎo)體控制放電激發(fā)

1 到 100 A等低氬氣消耗

使用便捷的樣品離子體電流

放電參數(shù)由密碼保護(hù)

特別的分析要求可有不同的激發(fā)參數(shù)

火花光源放電穩(wěn)定，不受供電系統(tǒng)波動(dòng)的影響

激發(fā)參數(shù)由激發(fā)線和分析程序標(biāo)定和控制

火花源可有多種參數(shù)設(shè)置

火花頻率: 200 到 to 1000 Hz (可控)

火花持續(xù)時(shí)間 10-10000 us (可控)